電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測(cè)量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有: 二氧化硅 – 簡(jiǎn)單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計(jì)量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長(zhǎng)的二氧化硅對(duì)光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測(cè)量3nm到1mm的二氧化
電介質(zhì)
成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測(cè)量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:
二氧化硅 – 簡(jiǎn)單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計(jì)量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長(zhǎng)的二氧化硅對(duì)光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測(cè)量3nm到1mm的二氧化硅厚度。
氮化硅 – 對(duì)此薄膜的測(cè)量比很多電介質(zhì)困難，因?yàn)楣瑁旱嚷释ǔ２皇?：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時(shí)測(cè)量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測(cè)量難度。 但是幸運(yùn)的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測(cè)量氮化硅薄膜完整特征。
氮化硅薄膜作為電介質(zhì)，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這個(gè)案例中，我們用F20-UVX成功地測(cè)量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數(shù)。有趣的事，氮化硅薄膜的光學(xué)性質(zhì)與薄膜的分子當(dāng)量緊密相關(guān)。使用Filmetrics專有的氮化硅擴(kuò)散模型，F(xiàn)20-UVX可以很容易地測(cè)量氮化硅薄膜的厚度和光學(xué)性質(zhì)，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當(dāng)量。
